ნანო SIM ბარათის კონექტორი, 6 პინი, H1.4 მმ, ჩამოკიდებული ტიპი, CD პინით KLS1-SIM-101

ნანო SIM ბარათის კონექტორი, 6 პინი, H1.4 მმ, ჩამოკიდებული ტიპი, CD პინით KLS1-SIM-101
  • small-img

გთხოვთ ჩამოტვირთოთ PDF ინფორმაცია:


pdf

პროდუქტის დეტალი

პროდუქტის ტეგები

პროდუქტის სურათები

ნანო SIM ბარათის კონექტორი, 6 პინი, H1.4 მმ, ჩამოკიდებული ტიპი, CD პინით ნანო SIM ბარათის კონექტორი, 6 პინი, H1.4 მმ, ჩამოკიდებული ტიპი, CD პინით

ინფორმაცია პროდუქციის შესახებ

ნანო SIM ბარათის კონექტორი, 6 პინი, H1.4 მმ, ჩამოკიდებული ტიპი, CD პინით

მასალა:
კორპუსი:მაღალი ტემპერატურის თერმოპლასტიკური,UL94V-0.შავი.
ტერმინალი: სპილენძის შენადნობი, მოოქროვილი ოქრო კონტაქტურ ზონაზე და შედუღების კუდები, ზედმეტად დაფარული ნიკელი.
გარსი: უჟანგავი ფოლადი, ოქროთი მოოქროვილი შედუღების კუდებზე, ზედმეტად დაფარული ნიკელი.
ელექტრო:
ნომინალური დენი: 0.5A მაქს
ნომინალური ძაბვა: 30V AC
კონტაქტის წინააღმდეგობა: 100mΩ მაქს.
საიზოლაციო წინააღმდეგობა: 1000MΩ მინ./500V DC
დიელექტრიკის გამძლე ძაბვა: 500V AC/წთ.
გამძლეობა: 5000 ციკლი.
ოპერაციული ტემპერატურა: -45ºC~+85ºC

 

მასალა:
კორპუსი:მაღალი ტემპერატურის თერმოპლასტიკური,UL94V-0.შავი.
ტერმინალი: სპილენძის შენადნობი, მოოქროვილი ოქრო კონტაქტურ ზონაზე და შედუღების კუდები, ზედმეტად დაფარული ნიკელი.
გარსი: უჟანგავი ფოლადი, ოქროთი მოოქროვილი შედუღების კუდებზე, ზედმეტად დაფარული ნიკელი.

ელექტრო:
ნომინალური დენი: 0.5A მაქს
ნომინალური ძაბვა: 30V AC
კონტაქტის წინააღმდეგობა: 100mΩ მაქს.
საიზოლაციო წინააღმდეგობა: 1000MΩ მინ./500V DC
დიელექტრიკის გამძლე ძაბვა: 500V AC/წთ.
გამძლეობა: 5000 ციკლი.
ოპერაციული ტემპერატურა: -45ºC~+85ºC

  • წინა:
  • შემდეგი: