პროდუქტის სურათები
პროდუქტის ინფორმაცია
2-1-ში SIM ბარათი + მიკრო SD კონექტორი, PUSH PULL, H2.7 მმ
ელექტროობა:
ძაბვა: 100 ვ ცვლადი ძაბვა
დენის სიმძლავრე: 0.5A მაქს.
კონტაქტის წინააღმდეგობა: მაქს. 100 mΩ
დიელექტრიკული ძაბვა: 500 ვ ცვლადი დენი.
იზოლაციის წინააღმდეგობა: 1000MΩ მინ.
მექანიკური:
ბარათის ჩასმისა და ამოღების ძალა: მაქს. 13.8N
შეწებების ძალა: მაქს. 19.6N
გამძლეობა: 10000 ციკლი.
სამუშაო ტემპერატურა: -45ºC~+85ºC
ელექტროობა:
ძაბვა: 100 ვ ცვლადი ძაბვა
დენის სიმძლავრე: 0.5A მაქს.
კონტაქტის წინააღმდეგობა: მაქს. 100 mΩ
დიელექტრიკული ძაბვა: 500 ვ ცვლადი დენი.
იზოლაციის წინააღმდეგობა: 1000MΩ მინ.
მექანიკური:
ბარათის ჩასმისა და ამოღების ძალა: მაქს. 13.8N
შეწებების ძალა: მაქს. 19.6N
გამძლეობა: 10000 ციკლი.
სამუშაო ტემპერატურა: -45ºC~+85ºC
წინა: 160x45x56 მმ წყალგაუმტარი კორპუსი KLS24-PWP106T შემდეგი: ნანო SIM ბარათის კონექტორი; PUSH PULL, 6 პინიანი, H1.40 მმ KLS1-SIM-113